案例一、 注意Fuse与MOS管电容量的匹配
某无线蓝牙音箱项目，采用TI公司-BQ28Z610锂电池管理IC，两串四并的电芯，正常工作电流5A。过流�；さ缌�27A，延迟11mS;短路电流约100A，延迟450µS。主回路中选用一颗南京萨特科技S1206-FA-25A贴片保险丝作为二次�；�，生产过程发现有Fuse异常熔断。
问题发生环节：Pack组装后，将P+和P-引线进行短路测试，发现MOSFET的一级�；っ挥衅鹱饔�，而原本用作二级�；さ腇use则先于MOS发生了动作。
BMS电路图：
PCBA及保险丝参数
分析：用示波器+电流探头分别单独测试了Fuse(将MOS短接)和MOS(将Fuse短接)在此Pack中的短路响应时间，结果表明Fuse、MOS的单独响应时间分别约为15mS、25mS。
MOS的延迟时间25mS，远远超出IC规格书标注的450µS，并用这个响应时间比Fuse的响应时间还要长，这就是导致Fuse异常熔断的罪魁祸首。
进一步排查MOS为何延迟时间被拉长，原来是因为该IC规格书中推荐的MOS型号是TI的CSD16412Q5A，阀值电压为2V，GS极电容量为378pF。该项目把它换成了领泰LT4422EFL，阀值电压0.4V，GS极电容量为3252pF。因为领泰LT4422EFL的电容量更大，阀值电压更低，在关闭MOS(放电)时需要的时间更长。
(关于MOS管电容量的知识：MOS管是压控器件，MOS管在从关断到导通的过程是需要电流(电荷)的，原因是MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，MOS管导通条件是Vgs电压至少达到阈值电压Vgs(th)，其通过栅极电荷对Cgs电容充电实现，当MOS管完全导通后就不需要提供电流了，即压控的意思。这三个寄生电容参数值在MOS管的规格书中一般是以Ciss，Coss和Crss形式给出，其对应关系为：Cgd=Crss;Cds=Coss-Crss;Cgs=Ciss-Crss。)
后记：对于此问题一般的解决方案是更换熔断值(i2t)更大的Fuse或更换IC规格书推荐的MOS即可，但此项目因板子已过了安规认证无法改规格，最后只能把全部已生产的板子重新写程序提高MOS的响应速度后再出货。
案例二、 注意过流�；び攵搪繁；げ馐缘氖奔浼涓�。
某笔记本电脑Pack项目，采用紘康HY2540锂电�；C，短路电流54A，延迟时间为1mS。主回路中用采用一颗南京萨特S1206-S-7A的保险丝作为二级过流�；�。经测试该保险丝在54A下的熔断时间约为10mS，理论上当电路发生短路时会先由IC+MOS触发一级�；�，但此项目的BMS板测试时发现有部分Fuse先于MOS触发了。
PCBA及保险丝参数
分析：
用示波器抓取PCBA测试过程的电流曲线，发现原来过流�；ず投搪繁；げ馐允前ぷ诺�。过流�；さ缌�8A~11A，延迟时间63mS。在过流�；ぜ涓�320mS后立即进入短路�；げ馐�。即，由于过流�；び攵搪繁；げ馐缘氖奔浼涓籼�，Fuse累积的热量没充分散去，Fuse的温度较高，大大缩短了Fuse在短路�；ぶ械亩魇奔�，使Fuse先于MOS产生动作。
后记：将过流�；げ馐杂攵搪繁；げ馐缘氖奔浼涓衾ぶ�2S，就没再出现Fuse异常熔断了。 |
